NT5CC256M16DN-FLNA vs K4B4G1646D-BYH9 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DN-FLNA par Nanya Technology et K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DN-FLNA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.283V-1.45V) | — |
| Backward Compatible Voltage | 1.5V ±0.075V | — |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3-12800) | 1333 Mbps |
| Latence CAS | 11 | Programmable |
| Burst Length | 8 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | Commercial: 0°C to +95°C (Tcase), Industrial: -40°C to +95°C (Tcase), Automotive: -40°C to +105°C (Tcase) | — |
| Interface | 16-bit I/O | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Température de fonctionnement | — | 0 ~ 85 °C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Die Version | — | D-die |