NT6AN8T6WBJ1B1 vs MT40A512M16JY-075E 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology および MT40A512M16JY-075E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T6WBJ1B1 | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.75 | $30.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| データレート | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CASレイテンシ | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| 動作温度 | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 特長 | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |