NT6AN8T6WBJ1B1 vs MT40A512M16JY-075E 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT6AN8T6WBJ1B1 제조: Nanya Technology 및 MT40A512M16JY-075E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT6AN8T6WBJ1B1 | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.75 | $30.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS 레이턴시 | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| 동작 온도 | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| 특징 | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |