NT6AN8T6WBJ1B1 vs MT40A512M16JY-075E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology et MT40A512M16JY-075E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T6WBJ1B1 | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,75 | $30,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| Débit de données | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Latence CAS | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |