NT6AN8T6WBJ1B1 vs MT40A512M16JY-075E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology und MT40A512M16JY-075E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T6WBJ1B1 | MT40A512M16JY-075E |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,75 | $30,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb (512M x 16) | 8 Gbit |
| Datenrate | 3200 MT/s | 2666 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| CAS-Latenz | 22 cycles | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (8x14) |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| Bank Groups | 4 groups of 4 banks | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.14V to 1.26V |
| VPP Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Refresh Time | — | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |