YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR 比較

詳細な並列比較: YZ48G08V-F9HPI-M メーカー: Loongtion および H5AN8G6NDJR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
ブランド Loongtion SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.20 $35.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 512M x 16
データレート 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
電源電圧 1.2 V 1.2 V
動作温度範囲 -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
実装タイプ Surface Mount —
インターフェース Parallel —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS ステータス Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
パッケージ — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
特長 — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

データシート&リソース

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