YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок YZ48G08V-F9HPI-M от Loongtion и H5AN8G6NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
Бренд Loongtion SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $7,20 $35,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 1G x 8 512M x 16
Скорость передачи данных 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Напряжение питания 1.2 V 1.2 V
Диапазон рабочих температур -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Тип монтажа Surface Mount —
Интерфейс Parallel —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Статус RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Корпус — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену