YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR Comparación

Comparación detallada lado a lado de YZ48G08V-F9HPI-M por Loongtion y H5AN8G6NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
Marca Loongtion SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $7,20 $35,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organización de memoria 1G x 8 512M x 16
Velocidad de datos 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tensión de alimentación 1.2 V 1.2 V
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Interfaz Parallel —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Estado RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Encapsulado — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
Características — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

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