YZ48G08V-F9HPI-M vs H5AN8G6NDJR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de YZ48G08V-F9HPI-M par Loongtion et H5AN8G6NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G6NDJR H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | SK hynix

H5AN8G6NDJR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre YZ48G08V-F9HPI-M H5AN8G6NDJR
Marque Loongtion SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,20 $35,00
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 8 512M x 16
Débit de données 3200 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Plage de température de fonctionnement -40°C to +85°C —
Package Type FBGA78 —
Type de montage Surface Mount —
Interface Parallel —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] 22 cycles (at 3200 Mbps)
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
Statut RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Boîtier — 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm)
Number of Terminals — 96
Maximum Supply Voltage (Vsup) — 1.26 V
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Burst Length — 8 (BL8), 4 (BC4)
Access Mode — Multi Bank Page Burst
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
RoHS — Compliant
Caractéristiques — Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling

Fiches techniques et ressources

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