CGD65A055S2 vs CGD65C025SP2 비교

다음의 상세 나란히 비교: CGD65A055S2 제조: Cambridge GaN Devices 및 CGD65C025SP2 제조: Cambridge GaN Devices. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Cambridge GaN Devices
CGD65C025SP2 CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 - 650V 25mΩ GaN HEMT 60A | Cambridge GaN Devices

CGD65C025SP2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 CGD65A055S2 CGD65C025SP2
브랜드 Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices
카테고리 Transistors MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.85 $4.10
Manufacturer Cambridge GaN Devices Cambridge GaN Devices (CGD)
Technology GaN-on-Si HEMT (enhancement mode) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 650 V —
On-Resistance (RDS(on)) 55 mΩ —
연속 드레인 전류 (TC=25°C) 27 A —
Gate Technology ICeGaN™ (standard-driver compatible) ICeGaN® (no negative gate supply required)
Current Sense Pin Yes (integrated CS output) —
Integrated Protection Circuit NL³ (non-linear low-loss) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 0 nC (zero, typical for GaN) —
패키지 16-pin DFN 8x8 mm BHDFN-9-1 (surface-mount, wettable flank)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
Operating Mode Enhancement-mode (normally-off) Enhancement mode (normally-off)
RoHS 상태 Compliant (lead-free) [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Polarity Single FET —
Part Number — CGD65C025SP2
트랜지스터 유형 — N-Channel GaN HEMT (enhancement-mode, normally-off)
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) — 60 A
On-Resistance (R_DS(on)) — 25 mΩ (typical)
Configuration — Single N-Channel
Material — GaN-on-Si (Gallium Nitride on Silicon)
Switching Frequency Suitability — High frequency (fast turn-on, easy paralleling)
Datasheet Status — Preliminary (May 2024)
AEC-Q100 Qualification — unknown

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