EP3C40F780C7 vs EP3C40F780C6N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP3C40F780C7 제조: Intel 및 EP3C40F780C6N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP3C40F780C7 | EP3C40F780C6N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | NRND | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $139.50 | $172.00 |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements (LE) | 39,600 | — |
| Number of Logic Cells | 39,600 | — |
| Total Memory Bits | 1,161,216 bits | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 126 | — |
| Number of PLLs | 4 | — |
| User I/O Count | 535 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| 패키지 | 780-ball FBGA (F780) | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Package Dimensions | 29 x 29 mm | 29 x 29 mm |
| Ball Pitch | 1.0 mm | 1.0 mm |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V to 3.3 V | — |
| 동작 온도 | 0C to +85C (Commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| Speed Grade | C7 | 6 (commercial) |
| Process Technology | 60 nm TSMC low-power CMOS | 60 nm CMOS |
| Configuration | Active Serial / Passive Parallel (JTAG) | — |
| MSL 레벨 | 3 (168 hours) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Logic Elements | — | 39,600 |
| Embedded Memory Bits | — | 1,161,216 |
| Embedded Memory (Kbytes) | — | 113 |
| M9K Memory Blocks | — | 126 |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 4,065 |
| Maximum User I/O Pins | — | 535 |
| PLLs | — | 4 |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Package Height | — | 2.6 mm |
| 실장 유형 | — | Surface Mount (FBGA) |
| Lead Free | — | Yes |
| Configuration Method | — | SRAM, JTAG via USB-Blaster |