EP4CE115F23I7N vs EP4CGX110DF23I7N 비교
다음의 상세 나란히 비교: EP4CE115F23I7N 제조: Intel 및 EP4CGX110DF23I7N 제조: Intel. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | EP4CE115F23I7N | EP4CGX110DF23I7N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Intel | Intel |
| 카테고리 | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $87.95 | $182.00 |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Family | EP4CE115 (F23 package) | Cyclone IV GX |
| Logic Elements (LE) | 114,480 | — |
| Embedded Memory Bits | 3,981,312 bits | — |
| Maximum User I/Os | 280 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 7,180 | 6,839 |
| Number of PLLs | 4 | — |
| 18x18 Hardware Multipliers | 266 | — |
| Core Voltage | 1.0 V / 1.2 V | — |
| I/O Voltage Banks | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V | — |
| 동작 온도 | -40C to +100C (Industrial) | -40C to +100C (industrial) |
| 패키지 | 484-FBGA (F23) 23x23 mm, 1.0 mm pitch | 484-ball FBGA, 23 x 23 mm, 1.00 mm pitch |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS (TSMC) | 60 nm low-power CMOS |
| Configuration Method | JTAG, Active Serial, Active Parallel | — |
| MSL 레벨 | 3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Logic Elements | — | 109,424 |
| User I/O Pins | — | 270 |
| Embedded Memory | — | 4.4 Mbits (approximate) |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 56 |
| Transceivers | — | Up to 3.125 Gbps embedded transceivers |
| Core Supply Voltage (VCCINT) | — | 1.15 V to 1.25 V (nominal 1.2 V) |
| Speed Grade | — | 7 |
| Package Code | — | BGA (FBGA) |
| Configuration Memory | — | SRAM-based (volatile, requires external config device) |