H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G4NAFR-RDC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G6NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.05 $2.30
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8 Gb —
메모리 구성 512M x 16 1G x 4
공급 전압 1.2 V —
인터페이스 DDR4 (JEDEC-standard) Synchronous, differential clock CK_t/CK_c
Access Mode Multi Bank Page Burst —
Package Code TFBGA —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade OTHER (per Partstack listing) —
Technology CMOS —
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant (Lead-Free)
Speed Grade -RDC (see datasheet for bin timing) —
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Max Clock Rate [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Density — 8Gb
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
패키지 — FBGA-78
Data Rate Class — [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s]
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin]
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
할로겐 프리 — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard
Manufacturer — SK hynix
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

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