H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $60.00 | $3.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | FBGA-96 | TFBGA-96 (rectangular) |
| Operating Current (IDD2N) | 28 mA | — |
| Operating Current (IDD4R) | 45 mA | — |
| Burst Length | 8 (BC4) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Row Address Bits | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] | — |
| Column Address Bits | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| 인터페이스 유형 | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Composition | — | CMOS |