IAUA120N04S5N014AUMA1 vs IAUC120N04S6N010ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUA120N04S5N014AUMA1 제조: Infineon 및 IAUC120N04S6N010ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 - 40V 1mΩ 150A N-Ch OptiMOS 6 | Infineon

IAUC120N04S6N010ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUA120N04S5N014AUMA1 IAUC120N04S6N010ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.18 $0.68
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUA120N04S5N014AUMA1 —
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 40 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10 V 1.4 mΩ —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) @ T<sub>C</sub>=25°C 136 W —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirmed min/max from datasheet] -55 °C to +175 °C (TJ, per Infineon OptiMOS 6 family)
패키지 PG-HSOF-5-2 (sTOLL) PG-TDSON-8-34 (5x6 mm leadless)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 5 + Tab (6 effective) —
Gate Drive Enhancement Mode —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020, per Infineon TDSON family)
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 40 V
Continuous Drain Current (Id, Tc) — 150 A
Power Dissipation (Pd, Tc) — 150 W
RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.0 mΩ
RDS(on) at VGS=10V (max per LCSC excerpt) — 1.03 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th), typ) — 3 V (at 90 µA)
Gate Drive Recommendation — 10 V VGS for full RDS(on) spec
Polarity — Single N-channel

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