IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N08S5N043ATMA1 제조: Infineon 및 IAUCN08S7N034ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUCN08S7N034ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.72 $1.48
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series IAUC / OptiMOS 5 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) N-Channel MOSFET
Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 100 A (package limited) 120 A
Continuous Drain Current (chip-limited) 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W —
Maximum R<sub>DS(on)</sub> 4.3 mΩ —
Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 125 W (T<sub>C</sub>) —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C —
패키지 PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) PG-TDSON-8-34 (TDSON EP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 8 —
습도 민감도 레벨 (MSL) MSL1 (up to 260°C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
Avalanche Rating 100% Avalanche Tested —
RoHS / REACH RoHS Compliant (Green Product) —
Technology OptiMOS 5 (Trench) —
Channel Mode Enhancement —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 80 V
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V — 3.4 mΩ
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) — 3.2 V (typ)
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) — 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) — 1.27 nF
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) — 3.115 nF
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) — 23 pF
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 118 W
동작 접합 온도 — -55°C to +175°C
MSL 레벨 — MSL 1 (unlimited floor life)
RoHS 상태 — Compliant

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