IAUC100N08S5N043ATMA1 vs IAUCN08S7N034ATMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IAUC100N08S5N043ATMA1 por Infineon e IAUCN08S7N034ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 - 80V 100A 4.3mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUC100N08S5N043ATMA1 ✓ AtivoInfineon
IAUCN08S7N034ATMA1 - 80V 120A 3.4mΩ Automotive MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N034ATMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IAUC100N08S5N043ATMA1 | IAUCN08S7N034ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,72 | $1,48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | IAUC / OptiMOS 5 | — |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) | 100 A (package limited) | 120 A |
| Continuous Drain Current (chip-limited) | 120 A at T<sub>C</sub>=25°C, R<sub>thJC</sub>=1.2 K/W | — |
| Maximum R<sub>DS(on)</sub> | 4.3 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 125 W (T<sub>C</sub>) | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55°C to +175°C | — |
| Encapsulamento | PG-TDSON-8-34 (SuperSO8) | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Contagem de pinos | 8 | — |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Technology | OptiMOS 5 (Trench) | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) | — | 80 V |
| R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V | — | 3.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | 3.2 V (typ) |
| Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) | — | 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V |
| Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) | — | 1.27 nF |
| Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) | — | 3.115 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) | — | 23 pF |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 118 W |
| Temperatura de junção de operação | — | -55°C to +175°C |
| Nível MSL | — | MSL 1 (unlimited floor life) |
| Status RoHS | — | Compliant |