IAUCN04S7N012ATMA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUCN04S7N012ATMA1 제조: Infineon 및 BSC094N06LS5ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUCN04S7N012ATMA1 IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 - 40V 1.2mΩ 120A N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N012ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUCN04S7N012ATMA1 BSC094N06LS5ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.18 $0.38
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS-7 (trench) OptiMOS™ 5 (logic-level)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A 47 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.2 mΩ —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS absolute max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg typ]
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C [DATA_NEEDED: junction temperature max from datasheet] —
패키지 PG-TDSON-8-34 (8-PowerTDFN) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Transistor Grade Automotive (AEC-Q101) —
전력 손실 (Ptot) [DATA_NEEDED: Ptot at TC=25°C] —
Thermal Resistance RθJA [DATA_NEEDED: RθJA on JEDEC PCB] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
할로겐 프리 Yes —
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Polarity N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +150 °C

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