IGW30N60H3FKSA1 vs IGB30N60H3ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IGW30N60H3FKSA1 제조: Infineon 및 IGB30N60H3ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IGB30N60H3ATMA1 IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 - 600V 30A TRENCHSTOP IGBT3 | Infineon

IGB30N60H3ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IGW30N60H3FKSA1 IGB30N60H3ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 IGBTs IGBTs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.49 $1.62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series TRENCHSTOP IGBT3 —
IGBT Type Trench Field Stop —
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VCE, max) 600 V —
Continuous Collector Current (IC, TC=25°C) 60 A —
Continuous Collector Current (IC, TC=100°C) [DATA_NEEDED: IC at TC=100°C] —
Pulsed Collector Current (ICM) [DATA_NEEDED: ICM value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) 187 W —
Gate-Emitter Voltage (VGE) ±20 V (max) +/- 20 V
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th), typ) [DATA_NEEDED: VGE(th) typical] —
VCE(sat) at IC=30 A, VGE=15 V, Tj=25°C [DATA_NEEDED: VCE(sat) value] —
Turn-Off Switching Energy (Eoff) [DATA_NEEDED: Eoff value] —
동작 접합 온도 범위 -40 °C to +175 °C —
패키지 TO-247 (PG-TO247-3-1) through-hole, 3 pins + tab PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Anti-Parallel Diode None (co-packaged without diode) —
실장 유형 Through Hole Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Family — TRENCHSTOP IGBT3
Collector-Emitter Voltage (VCE) — 600 V
Continuous DC Collector Current (IC, TC=25C) — 60 A
Pulsed Collector Current (ICpuls) — [DATA_NEEDED: pulsed collector current value]
전력 손실 (Ptot) — 187 W
컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) — 1.95 V (typ, at IC=30 A, VGE=15 V)
Gate-Emitter Threshold Voltage (VGE(th)) — [DATA_NEEDED: VGE(th) typical value]
Turn-Off Time (toff) — 262 ns (nominal)
Technology — Trench Field Stop
Configuration — Single IGBT
동작 접합 온도 — -40C to +175C
Storage Temperature — -55C to +150C
Terminal Form — Gull Wing
핀 수 — 3 (2 + Tab)
Switching Behavior — MOSFET-like turn-off

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