IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPB60R165CPATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPB60R165CPATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R145CFD7ATMA1 IPB60R165CPATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $1.78
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) CoolMOS CP (superjunction, N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
패키지 TO-252AA (DPAK) surface mount PG-TO263-3-2 (D2PAK-2)
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
실장 유형 Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) —
Series CoolMOS CFD7 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Pb-free lead plating)
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 21 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 192 W
On-Resistance RDS(on), max (VGS=10V) — 165 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Total Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Operating Temperature Range (TJ) — -55°C to +150°C
JEDEC Qualification — Qualified per JEDEC for target applications
dv/dt Ruggedness — Extreme dv/dt rated
Polarity / Channel — N-Channel

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