IPD60R145CFD7ATMA1 vs IPD082N10N3GATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R145CFD7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD082N10N3GATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD60R145CFD7ATMA1 IPD082N10N3GATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $1.14
FET Type N-Channel —
Technology CoolMOS CFD7 (superjunction) OptiMOS 3 (Trench N-Channel)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 600 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) 16 A (T<sub>C</sub> = 25C) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max 145 mOhm —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 83 W (T<sub>C</sub> = 25C) —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max] —
패키지 TO-252AA (DPAK) surface mount —
Body Diode Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>) —
동작 온도 -55C to +150C (junction) —
실장 유형 Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab) Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
Series CoolMOS CFD7 —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Target Application ZVS / LLC resonant converters, soft switching —
Part Number — IPD082N10N3GATMA1
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 80 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 8.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 125 W
동작 접합 온도 — -55°C to +175°C
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Automotive Qualified (AEC-Q101) — Not applicable (industrial/consumer grade)
Lead-Free — Yes

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