IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF4905STRLPBF 제조: Infineon 및 IRF3710STRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF4905STRLPBF | IRF3710STRLPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.95 | $1.23 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -260 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 86.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 170 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| 패키지 | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET / IR MOSFET (planar) |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 57 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 23 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | — | 200 W |
| Tape & Reel Orientation | — | TRL (left) |