IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRF4905STRLPBF von Infineon und IRF3710STRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRF4905STRLPBF IRF3710STRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,95 $1,23
FET Type P-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 86.7 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55 C to +175 C
Gehäuse D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET / IR MOSFET (planar)
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant Compliant (Pb-free)
Lead-Free Yes Yes
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 57 A
On-Resistance RDS(on) max — 23 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) — 200 W
Tape & Reel Orientation — TRL (left)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern