IRF4905STRLPBF vs IRF3710STRLPBF Comparación
Comparación detallada lado a lado de IRF4905STRLPBF por Infineon y IRF3710STRLPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon
IRF4905STRLPBF ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IRF4905STRLPBF | IRF3710STRLPBF |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,95 | $1,23 |
| FET Type | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | -260 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 86.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 170 W | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Encapsulado | D2PAK (TO-263) | D2PAK (TO-263), surface mount |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Planar) | HEXFET / IR MOSFET (planar) |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | — | 57 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 23 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | — | 200 W |
| Tape & Reel Orientation | — | TRL (left) |