IRFR1018ETRPBF vs IRFR2405TRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR1018ETRPBF 제조: Infineon 및 IRFR2405TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR1018ETRPBF IRFR2405TRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.36 $0.61
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 60 V —
Continuous Drain Current (Id) 79 A (Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 8.4 mΩ —
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 46 nC 70 nC
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) [DATA_NEEDED: Crss] —
Maximum Power Dissipation (Pd) 110 W (Tc) —
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C —
패키지 TO-252AA (D-Pak) TO-252AA (DPAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET HEXFET (IR MOSFET)
RoHS 상태 Compliant Compliant (Lead-Free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
MSL 레벨 1 1
Avalanche Rated Yes Yes (100% avalanche tested)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Status — Active
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 16 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
동작 접합 온도 — -55C to +175C
핀 수 — 3 (Gate, Drain, Source) + Tab
할로겐 프리 — [DATA_NEEDED: halogen-free status]

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