IRFS3006TRL7PP vs IPB60R040CFD7ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFS3006TRL7PP 제조: Infineon 및 IPB60R040CFD7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFS3006TRL7PP IPB60R040CFD7ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.75 $5.19
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET™ planar) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 240 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 2.1 mΩ (per Mouser snippet) —
On-Resistance RDS(on) typ 1.5 mΩ —
Gate Charge (Qg) 200 nC (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Power Dissipation (PD) at Tc 375 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 D2PAK (TO-263), 7-Lead, Surface Mount PG-TO263-3-2 (D2PAK)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Body Diode Intrinsic, avalanche-rated —
MSL 레벨 1 (unlimited) 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
RθJC Thermal Resistance [DATA_NEEDED: junction-to-case thermal resistance] —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
전력 손실 (TC=25°C) — 227 W
동작 온도 범위 — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

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