K4A8G085WC-BIWE vs MT40A1G8WE-075E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A1G8WE-075E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BIWE | MT40A1G8WE-075E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.29 | $11.90 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2666 MT/s (1.33 GHz) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C | — |
| 패키지 | 78-FBGA | 78-ball FBGA (8x12mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 and 4 |
| CAS 레이턴시 | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (1G x 8) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Operating Temperature (TC) | — | -40°C to +105°C (industrial) |
| Refresh Time (8192 cycles) | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo-open-drain |
| VREFDQ | — | On-die, internal, adjustable |
| AEC-Q100 | — | Optional (AIT variant) |