K4B4G1646D-BMK0 vs NT5CB256M16CP-DI 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BMK0 제조: Samsung Electronics 및 NT5CB256M16CP-DI 제조: Nanya Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BMK0 | NT5CB256M16CP-DI |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $6.50 |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C | — |
| 패키지 | 96FBGA (TFBGA) | TFBGA-96 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1600 Mbps/pin (max) |
| 공급 전압 | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Additive Latency | — | 0-13 |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) |
| RoHS | — | Compliant |
| Differential Clock Input | — | Yes (CK, CK#) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |