K6T0808C1D-DB55 vs K6T0808C1D-DB70 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6T0808C1D-DB55 제조: Samsung Electronics 및 K6T0808C1D-DB70 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung
K6T0808C1D-DB70 ⚠ 최종 구매사양 비교
| 파라미터 | K6T0808C1D-DB55 | K6T0808C1D-DB70 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 최종 구매 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.05 | $2.40 |
| Density | 256 Kbit (32K x 8) | 256 Kbit (32,768 bytes) |
| 메모리 유형 | Asynchronous Static RAM (SRAM) | Volatile SRAM (Static RAM) |
| 메모리 구성 | 32,768 words x 8 bits | — |
| Access Time (tAA) | 70 ns (max) | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class) | 4.5 V to 5.5 V |
| 동작 온도 | -40 C to +85 C (industrial) | 0C to +70C (commercial) |
| 패키지 | 28-pin TSOP1F (Type I, forward) | DIP-28 (600 mil, 'DB' code) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Through-Hole |
| Process Technology | Samsung advanced CMOS | CMOS (6T cell) |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA] | — |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: typical ICC in mA] | — |
| 출력 유형 | Three-state, bidirectional DQs | — |
| I/O Logic Level | TTL-compatible | — |
| Data Retention Voltage | [DATA_NEEDED: VDR minimum in V] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL classification] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: confirm] | — |
| Memory Organization | — | 32K x 8 = 256 Kbit |
| Operating Current (ICC) | — | 60 mA (typical) |
| Standby Current (ISB1) | — | 15 uA (typical) |
| 인터페이스 | — | Parallel, asynchronous, TTL-compatible |
| Output Enable (OE) | — | Yes (active-low) |
| Write Enable (WE) | — | Yes (active-low) |
| Chip Enable | — | CE1 (active-low), CE2 (active-high) |
| 데이터 버스 폭 | — | 8 bits |