K6T0808C1D-DB70 vs K6T0808C1D-DB55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6T0808C1D-DB70 제조: Samsung Electronics 및 K6T0808C1D-DB55 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6T0808C1D-DB70 - 256Kbit (32Kx8) CMOS SRAM 70ns DIP-28 | Samsung
K6T0808C1D-DB70 ⚠ 최종 구매
사양 비교
| 파라미터 | K6T0808C1D-DB70 | K6T0808C1D-DB55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 최종 구매 | Obsolete |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.40 | $3.05 |
| 메모리 유형 | Volatile SRAM (Static RAM) | Asynchronous Static RAM (SRAM) |
| Memory Organization | 32K x 8 = 256 Kbit | — |
| Density | 256 Kbit (32,768 bytes) | 256 Kbit (32K x 8) |
| Access Time (tAA) | 70 ns | 70 ns (max) |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | 5 V (typical; 4.5 V min per SRAM class) |
| Operating Current (ICC) | 60 mA (typical) | — |
| Standby Current (ISB1) | 15 uA (typical) | — |
| 동작 온도 | 0C to +70C (commercial) | -40 C to +85 C (industrial) |
| 인터페이스 | Parallel, asynchronous, TTL-compatible | — |
| Output Enable (OE) | Yes (active-low) | — |
| Write Enable (WE) | Yes (active-low) | — |
| Chip Enable | CE1 (active-low), CE2 (active-high) | — |
| 데이터 버스 폭 | 8 bits | — |
| 패키지 | DIP-28 (600 mil, 'DB' code) | 28-pin TSOP1F (Type I, forward) |
| 실장 유형 | Through-Hole | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS (6T cell) | Samsung advanced CMOS |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: verify on Samsung product page] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | [DATA_NEEDED: MSL classification] |
| 메모리 구성 | — | 32,768 words x 8 bits |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: typical ISB1 in uA] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: typical ICC in mA] |
| 출력 유형 | — | Three-state, bidirectional DQs |
| I/O Logic Level | — | TTL-compatible |
| Data Retention Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDR minimum in V] |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: confirm] |