K9PRGY8S7M-CCK0 vs K9CHGY8S5C-CCK0 비교
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Samsung Electronics
K9CHGY8S5C-CCK0 - Samsung NAND Flash Memory BGA-316 | Samsung
K9CHGY8S5C-CCK0 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K9PRGY8S7M-CCK0 | K9CHGY8S5C-CCK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NAND Flash | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 패키지 | BGA (surface mount) | BGA-316 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA reflow) |
| RoHS 상태 | Lead free / RoHS compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | [DATA_NEEDED: density] | [DATA_NEEDED: total density in Gb] |
| Memory Bus Width | [DATA_NEEDED: bus width] | — |
| 공급 전압 | [DATA_NEEDED: supply voltage] | — |
| 인터페이스 | [DATA_NEEDED: interface type] | — |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] | [DATA_NEEDED: P/E endurance] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Package Ball Count | [DATA_NEEDED: BGA ball count] | — |
| Product Type | — | NAND Flash Memory |
| 메모리 구성 | — | x8 (8-bit data access), quad CE configuration |
| Chip Enable Count | — | 16 (CE_n) |
| Pin Reduction | — | Not used |
| Supply Rail VCC | — | 1.83 V |
| Supply Rail (secondary) | — | 1.84 V |
| Supply Rail VCCQ-class | — | 2.96 V |
| Program/Erase Supply Rail | — | 12 V domain |
| Memory Technology | — | [DATA_NEEDED: cell type / V-NAND generation] |
| 인터페이스 유형 | — | [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI, max data rate] |