M29F800FT55M3E2 vs M29F200FT55M3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F800FT55M3E2 제조: Micron Technology 및 M29F200FT55M3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F800FT55M3E2 M29F200FT55M3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 EEPROM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.95 $1.85
메모리 유형 NOR Flash Parallel NOR Flash
메모리 크기 8 Mbit —
메모리 구성 512K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
인터페이스 Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
공급 전압 5 V —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
패키지 44-SO (SOP) 44-pin SO (TSOP)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 2 Mbit (2097 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

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