MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NAMR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT40A2G8AG-062E 제조: Micron Technology 및 H5ANAG8NAMR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 활성
SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NAMR-UHC
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $9.75 $2.15
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
메모리 구성 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz —
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS 레이턴시 CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
패키지 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant (lead-free FBGA package)
Die Revision AG (current generation) —
Manufacturer — SK Hynix
데이터 속도 — DDR4-2400 (2400 MT/s)
공급 전압 — 1.2 V
인터페이스 — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청