MT40A512M16JY-075E vs H5AN8G6NAFR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M16JY-075E 제조: Micron Technology 및 H5AN8G6NAFR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M16JY-075E | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $30.50 | $5.74 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s | 2400 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.14V to 1.26V | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14) | FBGA-96 |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Refresh Time | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 특징 | Auto precharge, data mask, dynamic on-chip termination, write leveling, auto self-refresh, CRC | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0°C to +85°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Refresh | — | Auto self-refresh |