MT40A512M8SA-062E vs K4A4G085WE-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A512M8SA-062E 제조: Micron Technology 및 K4A4G085WE-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A512M8SA-062E | K4A4G085WE-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.35 | $1.36 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| 데이터 속도 | 3200 MT/s (DDR4-3200 class) | 2400 Mbps |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Write Cycle Time | 15 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply | 2.5 V (-125 mV / +250 mV) | — |
| 인터페이스 | Parallel, 1.2 V pseudo open-drain I/O | Parallel |
| VREFDQ | On-die internal adjustable generation | — |
| 패키지 | 78-FBGA (7.5 x 11 mm), Z10B | FBGA-78 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (TC max) | up to 95 degrees C | — |
| Package Flow | :F (lead-free / RoHS) | — |
| 장착 스타일 | SMD/SMT | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Cycle Time (tCK) | — | 0.833 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Core Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Process Node Family | — | Samsung E-die |
| Bank Groups | — | 4n prefetch DDR4 architecture |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Refresh | — | 8n / 1X refresh (per JEDEC DDR4) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] |
| RoHS 상태 | — | Compliant (per LCSC listing) |