1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci 1EDN7136GXTMA1 disebabkan oleh Infineon dan 1EDN7146GXTMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr 1EDN7136GXTMA1 1EDN7146GXTMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Product Type Low-side gate driver IC —
Configuration Single channel, non-inverting —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Target Switch GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET —
Input Logic TTL/CMOS compatible —
UVLO Yes (VDD under-voltage lockout) —
Propagation Delay Sub-nanosecond class —
Kemasan PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) PG-VSON-10-4
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-free Yes —
Input Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD range V] —
Output Voltage (GaN gate) Approximately 6 V (regulated) —
Driver Type — High-side, single-channel
Number of Drivers — 1
Logic Type — Non-Inverting
Input Type — TDI (Truly Differential Inductor)
Maximum Bootstrap Voltage (VB) — 200 V
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 20 V
Source/Sink Drive Current — 500 mA / 500 mA
Gate Drive Voltage — Up to 11 V (typ)
Propagation Delay (typ) — 40 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
UVLO (VCC) — Yes
UVLO (VB) — Yes
Bootstrap Diode — Integrated

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga