1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 1EDN7136GXTMA1 מאת Infineon ו 1EDN7146GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7146GXTMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| מארז | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Driver Type | — | High-side, single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Logic Type | — | Non-Inverting |
| Input Type | — | TDI (Truly Differential Inductor) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | — | 200 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| Source/Sink Drive Current | — | 500 mA / 500 mA |
| Gate Drive Voltage | — | Up to 11 V (typ) |
| Propagation Delay (typ) | — | 40 ns |
| Rise/Fall Time (typ) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| UVLO (VCC) | — | Yes |
| UVLO (VB) | — | Yes |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |