1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của 1EDN7136GXTMA1 bằng Infineon và 1EDN7146GXTMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7146GXTMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| Hộp | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Driver Type | — | High-side, single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Logic Type | — | Non-Inverting |
| Input Type | — | TDI (Truly Differential Inductor) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | — | 200 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| Source/Sink Drive Current | — | 500 mA / 500 mA |
| Gate Drive Voltage | — | Up to 11 V (typ) |
| Propagation Delay (typ) | — | 40 ns |
| Rise/Fall Time (typ) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| UVLO (VCC) | — | Yes |
| UVLO (VB) | — | Yes |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |