1EDN7136GXTMA1 vs 1EDN7146GXTMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7136GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7146GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | 1EDN7136GXTMA1 | 1EDN7146GXTMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Product Type | Low-side gate driver IC | — |
| Configuration | Single channel, non-inverting | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Target Switch | GaN HEMT (CoolGaN) / MOSFET | — |
| Input Logic | TTL/CMOS compatible | — |
| UVLO | Yes (VDD under-voltage lockout) | — |
| Propagation Delay | Sub-nanosecond class | — |
| پیکیج | PG-VSON-10-4 (leadless, thermal pad) | PG-VSON-10-4 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -40 C to +125 C | -40 C to +125 C |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-free | Yes | — |
| Input Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD range V] | — |
| Output Voltage (GaN gate) | Approximately 6 V (regulated) | — |
| Driver Type | — | High-side, single-channel |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Logic Type | — | Non-Inverting |
| Input Type | — | TDI (Truly Differential Inductor) |
| Maximum Bootstrap Voltage (VB) | — | 200 V |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 20 V |
| Source/Sink Drive Current | — | 500 mA / 500 mA |
| Gate Drive Voltage | — | Up to 11 V (typ) |
| Propagation Delay (typ) | — | 40 ns |
| Rise/Fall Time (typ) | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time] |
| UVLO (VCC) | — | Yes |
| UVLO (VB) | — | Yes |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |