IPD60R360P7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R360P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD65R380E6ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R360P7ATMA1 IPD65R380E6ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ E6
Technology Superjunction (SJ) N-channel MOSFET Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V 650 V
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 360 mΩ —
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C 41 W —
Suhu Hubungan Operasi -55°C to +150°C —
Storage Temperature -55°C to +150°C —
Kemasan / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ 3.5 V (typ) —
ESD Protection (HBM) >2 kV (per datasheet) —
Aras MSL 1 (per JEDEC J-STD20) 1
RoHS Compliance Compliant —
Qualification Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
Gambaran Suhu Operasi — -55 °C to +150 °C
Kemasan — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga