IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPL65R200CFD7AUMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPB60R040CFD7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IPL65R200CFD7AUMA1 IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 - 650V 14A CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon

IPL65R200CFD7AUMA1 ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPL65R200CFD7AUMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS CFD7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 14 A —
Power Dissipation (PD, Tc) 81 W —
On-Resistance (RDS(on)) 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.5 V —
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Kemasan PG-VSON-4 PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Operasi -55C to +150C (TJ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg value] —
Body Diode Fast-recovery intrinsic —
Gate-Source ESD Protection Yes (integrated) —
Status RoHS Compliant Compliant
Product Family — CoolMOS CFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) — 227 W
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Aras MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga