IPL65R200CFD7AUMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IPL65R200CFD7AUMA1 توسط Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IPL65R200CFD7AUMA1 | IPB60R040CFD7ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| وضعیت موجودی | — | In Stock |
| قیمت واحد (USD) | — | $5.19 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS CFD7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 14 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 81 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.2 ohm at VGS=10V, ID=5.2A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V | — |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| بسته‌بندی | PG-VSON-4 | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55C to +150C (TJ) | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Body Diode | Fast-recovery intrinsic | — |
| Gate-Source ESD Protection | Yes (integrated) | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | CoolMOS CFD7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 50 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 40 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| اتلاف توان (TC=25°C) | — | 227 W |
| محدوده دمای کاری | — | -55°C to +150°C |
| Integrated Body Diode | — | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode |
| سطح MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Target Applications | — | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) |