IPN70R600P7SATMA1 vs IPN70R360P7SATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPN70R600P7SATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPN70R360P7SATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPN70R600P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 8.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 600 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 6.9 W —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C (Tj) -55°C to +150°C (junction)
Kemasan PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain —
RoHS Compliance Compliant —
Aras MSL Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Family Position 700V CoolMOS P7, 600mΩ class —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) — 12.5 A
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) — 360 mΩ
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 7.2 W
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vth) typ — 3.0 V
Channel Type — N-Channel
Storage Temperature Range — -55°C to +150°C
ESD Protection (HBM) — Class 1C
Drain Tab Connection — Pin 3 (Tab)
RoHS / REACH — Compliant (per Infineon product page)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga