IPN70R600P7SATMA1 vs IPN70R360P7SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R600P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN70R360P7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN70R600P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (CoolMOS) N-Channel MOSFET CoolMOS P7 Superjunction (SJ)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vdss) 700 V 700 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 8.5 A —
On-State Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V 600 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 6.9 W —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg typical value] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (Tj) -55°C to +150°C (junction)
Paket PG-SOT223 (3-pin + tab), surface mount PG-SOT223 (3-pin, 2+Tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Configuration Pin 1 Gate, Pin 2 Drain, Pin 3 Source, Tab Drain —
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi Level 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Family Position 700V CoolMOS P7, 600mΩ class —
Drain Current Continuous (Id, Tc=25°C) — 12.5 A
On-State Resistance Rds(on) max (Vgs=10V) — 360 mΩ
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) — 7.2 W
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vth) typ — 3.0 V
Channel Type — N-Channel
Storage Temperature Range — -55°C to +150°C
ESD Protection (HBM) — Class 1C
Drain Tab Connection — Pin 3 (Tab)
RoHS / REACH — Compliant (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin