IRFR4615TRLPBF vs IRFH7084TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFR4615TRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFH7084TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFR4615TRLPBF IRFH7084TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Technology IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) StrongIRFET™ (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] ±20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 42 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 26 nC —
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 144 W —
Avalanche Energy (EAS) 109 mJ —
Gambaran Suhu Operasi -55C to +175C -55°C to +175°C (TJ)
Kemasan TO-252AA (DPAK) 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates Pb-free) —
Tenaga Gesa tunggal padek 109 mJ —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) — 100 A
Silicon-Limited Drain Current — 265 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 156 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.25 mΩ
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 0.95 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V to 2.7 V
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V — 6560 pF
Aras MSL — 1
Status RoHS — Compliant
Boson Bebas — Compliant
RthJC max — 0.96 °C/W (per datasheet)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga