IRLML6346TRPBF vs IRLML2030TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML6346TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML2030TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML6346TRPBF IRLML2030TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C —
Kemasan Micro3 / SOT-23 Micro3 (SOT-23)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
Aras MSL 1 MSL 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2030TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
Suhu Operasi — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (lead-free, halogen-free)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga