IRLML6346TRPBF vs IRLML2030TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve IRLML2030TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6346TRPBF IRLML2030TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket Micro3 / SOT-23 Micro3 (SOT-23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
MSL Seviyesi 1 MSL 1
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRLML2030TRPBF
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 2.7 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 1.3 W
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 100 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 154 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Charge (Qg) typ — 1.0 nC
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (lead-free, halogen-free)
Qualification — JEDEC standard
Soldering — Wave-solder compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin