IRLR3114ZTRPBF vs IRLR7843TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLR3114ZTRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLR7843TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLR3114ZTRPBF IRLR7843TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A —
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 34 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
Suhu Hubungan Operasi -55 C to +175 C —
Kemasan TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Bilangan Pin 3 (2 + tab) —
Status RoHS Compliant —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
Gambaran Suhu Operasi — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga