K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BCRC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A8G085WB-BICR disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A8G085WB-BCRC disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BCRC
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organisasi 1G x 8 1G x 8
Kadar Data 2400 Mbps 2400 Mbps
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Kemasan 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Kiraan Pin 78 —
Jenis Pemasangan Surface Mount —
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
Gambaran Suhu Operasi [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
Suhu Operasi — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga