K4A8G085WB-BICR vs K4A8G085WB-BCRC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4A8G085WB-BICR tarafından Samsung Electronics ve K4A8G085WB-BCRC tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR - Samsung 8Gb DDR4 1Gx8 2400Mbps Industrial

K4A8G085WB-BICR ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A8G085WB-BCRC K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2400Mbps | Samsung

K4A8G085WB-BCRC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4A8G085WB-BICR K4A8G085WB-BCRC
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organizasyon 1G x 8 1G x 8
Veri Hızı 2400 Mbps 2400 Mbps
Besleme Gerilimi 1.2 V (VDD/VDDQ) 1.2 V
Number of Banks 16 —
Refresh Cycles 8192 8192
Paket 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Pin Sayısı 78 —
Montaj Türü Surface Mount —
Temperature Grade Industrial (I-grade) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: exact temperature range for BICR industrial suffix] —
Die / Process Samsung 8Gb B-die DDR4 —
Speed Grade DDR4-2400 (PC4-19200) —
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Management Row refresh, auto-refresh and self-refresh supported —
İşletim Sıcaklığı — 0°C to 85°C
Number of Terminals — 78
Access Time — 0.175 ns
Technology — CMOS
Burst Length — 8 and 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin